Методом твердофазного ампульного синтеза были получены образцы Cu2-δSrSnS4 в диапазоне 0≤δ<0.4, уточнены параметры их кристаллической решетки, а также изучены спектры комбинационного рассеяния света в зависимости от δ. Установлено, что для данных соединений наблюдается более узкая область однофазности, по сравнению с соединениями Cu2-δBaSnS4, имеющих схожую структуру. При этом образцы Cu2-δSrSnS4 нестабильны при отжиге в вакууме. Методом микроволновой фотопроводимости установлено, что дополнительный отжиг Cu2-δSrSnS4, в присутствии SnS2, приводит к заметному увеличению времен жизни фотогенерированных носителей тока, что, по-видимому, обусловлено уменьшением количества примесных фаз и структурных дефектов, образующихся вследствие термической нестабильности в процессе синтеза.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации