В настоящей работе впервые для получения тонких пленок состава InGaZnO (IGZO) различной стехиометрии, морфологии и фазового состава использовался метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Пленки синтезировались с помощью установки, подробно описанной нами в работах [1–5]. Исходными веществами являлись элементарные высокочистые In, Ga и Zn, газами-носителями Ar и H2, а в качестве плазмообразующего газа использовали смесь (Ar–H2–O2). Процесс плазмохимического синтеза был изучен методом оптической эмиссионной диагностики. Предложены механизмы плазмохимического процесса. Методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа был определен химический соcтав образцов. Полученные образцы были также исследованы методами сканирующей электронной (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и оптической профилометрии. По измерениям эффекта Холла были определены электрические свойства полученных пленок – тип, подвижность и концентрация носителей.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации